單晶爐在使用前一定要認(rèn)真的閱讀操作規(guī)程，以免發(fā)生意外和導(dǎo)致設(shè)備的損壞。

1、清爐、裝爐：清洗整個(gè)爐室內(nèi)壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調(diào)整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然后將其安裝到上軸末端，進(jìn)行多晶料的對中；將籽晶裝入籽晶夾頭上，然后將其安裝到下軸頂端；關(guān)閉各個(gè)爐門，擰緊各緊固螺栓； 

2、抽空、充氣，預(yù)熱：打開真空泵及抽氣管道閥門，對爐室進(jìn)行抽真空，真空度達(dá)到所要求值時(shí)，關(guān)閉抽氣管道閥門及真空泵，向爐膛內(nèi)快速充入氬氣；當(dāng)充氣壓力達(dá)到相對壓力 1bar-6bar時(shí)，停止快速充氣，改用慢速充氣，同時(shí)打開排氣閥門進(jìn)行流氬；充氣完畢后，對多晶硅棒料進(jìn)行預(yù)熱，預(yù)熱使用石墨預(yù)熱環(huán)，使用電流檔，預(yù)熱設(shè)定點(diǎn)25-40％，預(yù)熱時(shí)間為10-20分鐘； 

3、化料、引晶：預(yù)熱結(jié)束后，進(jìn)行化料，化料時(shí)轉(zhuǎn)入電壓檔，發(fā)生器設(shè)定點(diǎn)在40-60％；多晶料熔化后，將籽晶與熔硅進(jìn)行熔接，熔接后對熔區(qū)進(jìn)行整形，引晶； 

4、生長細(xì)頸：引晶結(jié)束后，進(jìn)行細(xì)頸的生長，細(xì)頸的直徑在2-6mm，長度在30-60mm； 

5、擴(kuò)肩及氮?dú)獾某淙耄杭?xì)頸生長結(jié)束后，進(jìn)行擴(kuò)肩，緩慢減少下速至3±2mm/min，同時(shí)隨著擴(kuò)肩直徑的增大不斷減少下轉(zhuǎn)至8±4rpm，另外還要緩慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm；為了防止高壓電離，在氬氣保護(hù)氣氛中充入一定比例的氮?dú)?，氮?dú)獾膿饺氡壤鄬τ跉鍤獾?0.01％-5％；

6、轉(zhuǎn)肩、保持及夾持器釋放：在擴(kuò)肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時(shí)，擴(kuò)肩的速度要放慢一些，進(jìn)行轉(zhuǎn)肩，直至達(dá)到所需直徑，單晶保持，等徑保持直徑在75mm-220mm，單晶生長速度1mm/分-5mm/分，在擴(kuò)肩過程中，當(dāng)單晶的肩部單晶持器的銷子的距離小于2mm時(shí)釋放夾持器，將單晶夾??；

7、收尾、停爐：當(dāng)單晶拉至尾部，開始進(jìn)行收尾，收尾到單晶的直徑達(dá)到Φ10-80mm，將熔區(qū)拉開，這時(shí)使下軸繼續(xù)向下運(yùn)動，上軸改向上運(yùn)動，同時(shí)功率保持在40±10％，對晶體進(jìn)行緩慢降溫。